光敏电阻的结构和两种类型

 从结构上说，光敏电阻它具有一个水平体，该水平体暴露在光下，对光敏感。如同其他的电阻，比如热敏电阻对热量敏感，压敏电阻对电压敏感。

光敏电阻的基本结构如下所示：

有源半导体区域通常沉积在半绝缘衬底上，并且有源区域通常是轻掺杂的。

在许多分立的光致抗蚀剂器件中，使用叉指图案来增加光致抗蚀剂暴露于光的面积。在有源区表面上的金属化层中切割出图案，从而使光通过。两个金属化区域充当电阻器的两个触点。该面积必须做得较大，因为与活动区域的接触的电阻需要*小化。

光阻结构显示叉指图案以*大化暴露面积。

这种类型的结构广泛用于看到的许多小型光敏电阻或光敏电阻。叉指模式是很容易辨认的。

用于光致抗蚀剂的材料是半导体，并且包括诸如CdSe，CdS，CdTe，InSb，InP，PbS，PbSe，Ge，Is，GaAs的材料。每种材料在灵敏度等方面均具有不同的属性。

考虑到使用镉的环境问题，该材料在欧洲不用于产品。

光敏电阻的类型

光敏电阻器，LDR或光敏电阻属于以下两种类型或类别之一：

本征光敏电阻：   本征光敏电阻使用未掺杂的半导体材料，包括硅或锗。光子落在LDR上激发电子将其从价带移动到导带。结果，这些电子自由导电。落在设备上的光越多，释放的电子就越​​多，电导率也越高，这导致电阻值越低。

非本征光敏电阻：   非本征光敏电阻是由半导体中掺杂杂质的材料制成的。这些杂质或掺杂剂在现有价带之上产生了一个新的能带。结果，由于较小的能隙，电子需要较少的能量来转移到导带。

不管光敏电阻器或光敏电阻器的类型如何，这两种类型都随入射光水平的提高而显示出电导率的增加或电阻的下降。

光敏电阻频率依赖性

示出了光敏电阻的灵敏度随影响器件的敏感区域的光的波长而变化。该效果非常明显，并且发现如果波长在给定范围之外，则没有明显的效果。

由不同材料制成的设备对不同波长的光有不同的响应，这意味着不同的电子组件可用于不同的应用。

还发现，非本征光致抗蚀剂倾向于对更长波长的光更敏感，并且可以用于红外。但是，在使用红外光时，必须注意避免产生热量，但是会产生辐射的消光效果。